DMT10H009SPS-13
fabricante:
Diodos incorporados
Descrição:
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
30 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
8.5mOhm @ 20A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
2085 pF @ 50 V
Mounting Type:
Surface Mount
Série:
-
Supplier Device Package:
PowerDI5060-8
Mfr:
Diodos incorporados
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
14A (Ta), 80A (Tc)
Dissipação de poder (máxima):
1.3W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
DMT10
Introdução
N-Canal 100 V 14A (Ta), 80A (Tc) 1.3W (Ta) Potência de montagem de superfícieDI5060-8
PRODUTOS CONEXOS
DMTH43M8LFGQ-13
MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
DMP4015SPSQ-13
MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8
ZXMP6A13FTA
MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3
DMG301NU-7
MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
DMTH6016LPSQ-13
MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
ZXMN6A07FTA
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
ZXMP6A17GTA
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
ZXMP6A17E6TA
MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
DMP3010LK3-13
MOSFET P-CH 30V 17A TO252-3
DMP2165UW-7
MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT323 T&R
| Imagem | parte # | Descrição | |
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DMTH43M8LFGQ-13 |
MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
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DMP4015SPSQ-13 |
MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8
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ZXMP6A13FTA |
MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3
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DMG301NU-7 |
MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
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DMTH6016LPSQ-13 |
MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
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ZXMN6A07FTA |
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
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ZXMP6A17GTA |
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
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ZXMP6A17E6TA |
MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
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DMP3010LK3-13 |
MOSFET P-CH 30V 17A TO252-3
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DMP2165UW-7 |
MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT323 T&R
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