FDP038AN06A0
fabricante:
ONSEMI
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Característica do FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
124 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3.8mOhm @ 80A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
6V, 10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
6400 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
PowerTrench®
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
17A (Ta), 80A (Tc)
Power Dissipation (Max):
310W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FDP038
Introdução
N-canal 60 V 17A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) através do buraco TO-220-3
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