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IXFH12N90

fabricante:
IXYS
Descrição:
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
Característica do FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 4mA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
155 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
900mOhm @ 6A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
900 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4200 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HiPerFET™
Supplier Device Package:
TO-247AD (IXFH)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
12A (Tc)
Power Dissipation (Max):
300W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFH12
Introdução
N-canal 900 V 12A (Tc) 300W (Tc) através do buraco TO-247AD (IXFH)
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