Filtros
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Semicondutores
| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Conservado em estoque | RFQ | |
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MT2M2M2M2M2M2M2M2M2M2 |
IC DRAM 4G PARALÉL 1 GHz 96FBGA
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Tecnologia Micron
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MT41K512M16HA-125: |
DRAM 8G 1.35V 512Mx16 800MHz DDR3 0C-90C
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Tecnologia Micron
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MT4A256M16GE-075E:B |
IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
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Tecnologia Micron
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TC58NYG0S3HBAI6 |
EEPROM 1,8 V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
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Toshiba
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TC58BVG0S3HTA00 |
EEPROM 3,3 V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
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Toshiba
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TC58BVG2S0HTA00 |
EEPROM 3,3 V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
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Toshiba
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TC58NVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3,3 V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
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Toshiba
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TC58NVG3S0FTA00 |
Memória flash 8Gb 3.3V SLC NAND Memória flash EEPROM
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Toshiba
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MT2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F |
IC FLASH 256G PARALÉL 83MHZ
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Tecnologia Micron
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MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F |
IC FLASH RAM 4G PARALÉL 533MHZ
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Tecnologia Micron
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MT25QU512ABB8E12-0SIT |
IC FLASH 512M SPI 133MHZ TBGA
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Tecnologia Micron
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MT28EW01GABA1LPC-0SIT |
IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA
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Tecnologia Micron
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MT5regulamentação |
IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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MT25QL128ABA8ESF-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2
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Tecnologia Micron
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W25Q64FVSSIQ |
IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC
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Winbond Electronics
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W25Q64FVZPIQ |
IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON
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Winbond Electronics
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MT25QU256ABA8ESF-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2
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Tecnologia Micron
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MT2A2A2A2A2A2A2A2 |
IC FLASH 256M PARALÉL 56VFBGA
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Tecnologia Micron
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S29GL032N90FFA040 |
Memória Flash nem
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Semicondutor de cipreste
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MT4A1G8PM-083E:A |
IC DRAM 8G PARALEL 1.2 GHz
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Tecnologia Micron
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MT40A1G8SA-075: E |
IC DRAM 8G PARALEL 1,33 GHz
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Tecnologia Micron
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MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D |
IC FLASH 64G PARALÉL 166MHZ
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Tecnologia Micron
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N25Q128A13ESFA0F |
IC FLASH 128M SPI 108MHZ 16SOP2
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Tecnologia Micron
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MT25QL256ABA1EW9-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WPDFN
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Tecnologia Micron
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MT28EW01GABA1HJS-0SIT |
IC FLASH 1G PARALEL 56TSOP
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Tecnologia Micron
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MT2A2A2A2A2A2A2A2A2 |
IC FLASH 256M PARALÉL 56TSOP
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Tecnologia Micron
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MT41K256M16TW-125:P |
IC DRAM 4G PARALÉL 800MHZ
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Tecnologia Micron
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MT28EW01GABA1LJS-0SIT |
IC FLASH 1G PARALEL 56TSOP
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Tecnologia Micron
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MTA4ATF51264HZ-2G6E1 |
IC DRAM 32G PARALÉL 1333MHZ
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Tecnologia Micron
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MT25QL128ABA8E12-0AAT |
IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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MT25QL256ABA8E12-0AAT |
IC FLASH 256M SPI 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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MT25QU01GBBB8E12-0AAT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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MT29F1G01ABAFDWB-IT:F |
IC Flash 1G SPI UPDFN
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Tecnologia Micron
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MT29F2G08ABAGAH4-IT: G |
IC FLASH 2G PARALHEL FBGA
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Tecnologia Micron
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MT2F2G16ABAEAWP-AIT:E |
IC FLASH 2G TSOP paralelo
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Tecnologia Micron
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MT29F4G16ABADAWP-AIT: |
TSOP paralelo IC FLASH 4G
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Tecnologia Micron
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MT25QL01GBBB8E12-0AUT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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MT4A2G8NRE-083E:B |
IC DRAM 16G PARALÉL 1.2 GHz
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Tecnologia Micron
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MT40A512M16LY-062E: E |
IC DRAM 8G PARALEL 1.6 GHz
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Tecnologia Micron
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MT51J256M32HF-70:A |
IC RAM 8G PARALEL 1,75 GHz
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Tecnologia Micron
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MTFC64GAJAECE-AIT |
IC FLASH 512G MMC
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Tecnologia Micron
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MTFC16GAKAEEF-AIT |
IC FLASH 128G MMC
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Tecnologia Micron
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MT51J256M32HF-80:B |
IC RAM 8G PARALHEL 2.0 GHz FBGA
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Tecnologia Micron
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MTFC128GAPALNS-AIT |
IC FLASH 1T MMC
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Tecnologia Micron
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MTFC32GAPALBH-AAT |
IC FLASH 256G MMC
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Tecnologia Micron
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MTFC64GAPALBH-AAT |
IC FLASH 512G MMC
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Tecnologia Micron
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MTFC8GAMALNA-AAT |
IC FLASH 64G MMC
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Tecnologia Micron
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MT2M2M2M2M2M2M2 |
IC DRAM 4G PARALHEL 1067MHZ
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Tecnologia Micron
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MT35XU512ABA1G12-0AUT |
Série NOR 512M MT35X 45NM IT
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Tecnologia Micron
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O que é isso? |
Memória flash 16GB NAND EEPROM
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Toshiba
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