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Memória
| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Conservado em estoque | RFQ | |
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MT4A1G16WBU-083E:B |
IC DRAM 16G PARALÉL 1.2 GHz
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Tecnologia Micron
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MT4A1G8WE-075E:B |
IC DRAM 8G PARALEL 1,33 GHz
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Tecnologia Micron
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MT4A512M16JY-075E:B |
IC DRAM 8G PARALEL 1,33 GHz
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Tecnologia Micron
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MT25QU256ABA1EW7-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WPDFN
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Tecnologia Micron
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MT35XU512ABA1G12-0AAT |
Série NOR SLC 64MX8 TBGA
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Tecnologia Micron
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S29GL032N90FFIS42 |
Memória Flash nem
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Semicondutor de cipreste
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MTA36ASF4G72PZ-2G9E2 |
IC DRAM 288G PARALÉL 1467MHZ
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Tecnologia Micron
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TC58NVG2S3ETA00 |
Memória Flash 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
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Toshiba
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MTFC16GAPALBH-AAT |
IC FLASH 128G MMC
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Tecnologia Micron
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O que é isso? |
Memória Flash 4GB NAND EEPROM
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Toshiba
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THGBMHG8C2LBAIL |
Memória flash de 32 GB NAND EEPROM w/CQ
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Toshiba
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MT5A1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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TC58NVG1S3ETAI0 |
Memória flash 1 GB 3.3 V SLC NAND Flash EEPROM Serial
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Toshiba
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MTFC32GAPALBH-AIT |
IC FLASH 256G MMC
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Tecnologia Micron
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MTFC64GAJAECE-AAT |
IC FLASH 512G MMC
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Tecnologia Micron
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MTFC64GAPALBH-AIT |
IC FLASH 512G MMC
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Tecnologia Micron
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MT25QU02GCBB8E12-0SIT |
IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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IS25LQ040B-JNLE-TR |
Memória Flash 4Mb QSPI, CONCESSÃO 150Mil de 8 pinos, RoHS, E, T&R
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ISSI
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N25Q032A13ESE40F |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8SOP2
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Tecnologia Micron
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S34ML02G104TFI010 |
Memória flash 2G 3V 25ns NAND Flash
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Semicondutor de cipreste
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MT25TL01GBBB8ESF-0AAT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 16SOP2
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Tecnologia Micron
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S34ML01G100TFI000 |
Memória Flash 1Gb 3V 25ns NAND Flash
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Expanso / Cipreste
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S34ML04G200TFI000 |
Memória Flash 4G, 3V, 25ns NAND Flash
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Semicondutor de cipreste
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IS25LQ040B-JBLE-TR |
Memória Flash 4Mb QSPI, CONCESSÃO 208Mil de 8 pinos, RoHS, E, T&R
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ISSI
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S25FL164K0XMFI013 |
Memória Flash 64M, 3.0V, 108Mhz de série NEM instantâneo
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Semicondutor de cipreste
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IS25LQ512B-JNLE |
Memória flash 512Kb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS, ET
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ISSI
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IS25LQ040B-JNLE |
Memória Flash 4Mb QSPI, SOP 150Mil de 8 pinos, RoHS, ET
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ISSI
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W25Q32BVSSJG |
MEMÓRIA FLASH IC 32 MB
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Winbond Electronics
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MT25QL128ABB8E12-0AUT |
IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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S29PL032J70BFI120 |
Paralela da memória Flash 32Mb 3V 70ns NEM instantâneo
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Semicondutor de cipreste
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S34ML01G100BHI000 |
Memória Flash 1Gb 3V 25ns NAND Flash
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Semicondutor de cipreste
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K9F5608U0D-PCB0 |
Memória flash NAND de 32 M x 8 bits
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Semicondutores da Samsung
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K4A8G085WB-BCPB |
Memória RAM SDR4 DDR4 de 8 GB
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Semicondutores da Samsung
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K4A8G165WC-BCTD |
8Gb B-die DDR4 SDRAM x16
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Semicondutores da Samsung
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C4B4G0846Q-HYK0 |
Especificação da DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM
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Semicondutores da Samsung
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K4T1G164QE-HCE7 |
1Gb E-die DDR2 SDRAM 60FBGA/84FBGA sem chumbo e sem halogênio (compatível com RoHS)
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Semicondutores da Samsung
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S25FL127SABBHIC00 |
Memória flash 128 MB 3V 108MHz Serial NOR Flash
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Expanso / Cipreste
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K9GAG08U0E-SCB0 |
16Gb E-die NAND Flash
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Semicondutores da Samsung
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C4G20325FD-FC03 |
Memória gráfica
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Semicondutores da Samsung
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K4G41325FE-HC28 |
Memória gráfica
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Semicondutores da Samsung
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K4E6E304EE-EGCF |
Memória IC
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Semicondutores da Samsung
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S29WS512P0SBFW000 |
Paralela da memória Flash 512Mb 1.8V 80Mhz NEM instantâneo
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Expanso / Cipreste
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S29WS256P0PBFW000 |
Memória Flash 256Mb 1.8V 66Mhz Paralela NOR Flash
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Expanso / Cipreste
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S29GL032N90TFI030 |
Memória flash 3V 32 Mb Porta flutuante dois endereço 90s
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Semicondutor de cipreste
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S29GL064N90TFI010 |
Paralela da memória Flash 64Mb 3V 90ns NEM instantâneo
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Semicondutor de cipreste
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IS42S16320B-6TL |
DRAM 512M (32Mx16) 166MHz SDR SDRAM, 3.3V
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ISSI
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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MT25QL128ABA1ESE-MSIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOP2
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Tecnologia Micron
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IS43TR16128AL-125KBL |
DRAM 2G 1,35V (128M x 16) DDR3 SDRAM
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ISSI
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K4B1G1646G-BCH9 |
1Gb D-die DDR3 SDRAM Especificação
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Semicondutores da Samsung
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