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IC de memória
| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Conservado em estoque | RFQ | |
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MTFC64GAPALBH-AAT |
IC FLASH 512G MMC
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Tecnologia Micron
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MTFC8GAMALNA-AAT |
IC FLASH 64G MMC
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Tecnologia Micron
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MT2M2M2M2M2M2M2 |
IC DRAM 4G PARALHEL 1067MHZ
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Tecnologia Micron
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MT35XU512ABA1G12-0AUT |
Série NOR 512M MT35X 45NM IT
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Tecnologia Micron
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MT25QL01GBBB1EW9-0SIT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 8WPDFN
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Tecnologia Micron
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MT25QL512ABB8E12-0AAT |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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MT25QU01GBBB8ESF-0AAT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 16SOP2
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Tecnologia Micron
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MT25QU512ABB8ESF-0AAT |
IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2
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Tecnologia Micron
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MT29F16G08ABABAWP-AIT:B |
IC FLASH 16G TSOP paralelo
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Tecnologia Micron
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MT29F2G01ABAGDWB-IT: G |
IC Flash 2G SPI UPDFN
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Tecnologia Micron
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MT61K256M32JE-12:A |
IC RAM 8G PARALHEL 1.5 GHz FBGA
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Tecnologia Micron
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MTFC16GAPALNA-AAT |
EMMC 128G MMC5.1 J56X AAT
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Tecnologia Micron
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MTFC64GAPALNA-AAT |
EMMC 512G MMC5.1 J58X AAT
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Tecnologia Micron
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MT2F8G08ABABAWP-AITX:B |
IC FLASH 8G TSOP paralelo
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Tecnologia Micron
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MT4A1G16WBU-083E:B |
IC DRAM 16G PARALÉL 1.2 GHz
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Tecnologia Micron
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MT4A1G8WE-075E:B |
IC DRAM 8G PARALEL 1,33 GHz
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Tecnologia Micron
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MT4A512M16JY-075E:B |
IC DRAM 8G PARALEL 1,33 GHz
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Tecnologia Micron
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MT25QU256ABA1EW7-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WPDFN
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Tecnologia Micron
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MT35XU512ABA1G12-0AAT |
Série NOR SLC 64MX8 TBGA
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Tecnologia Micron
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MTA36ASF4G72PZ-2G9E2 |
IC DRAM 288G PARALÉL 1467MHZ
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Tecnologia Micron
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MTFC16GAPALBH-AAT |
IC FLASH 128G MMC
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Tecnologia Micron
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MT5A1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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MTFC32GAPALBH-AIT |
IC FLASH 256G MMC
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Tecnologia Micron
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MTFC64GAJAECE-AAT |
IC FLASH 512G MMC
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Tecnologia Micron
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MTFC64GAPALBH-AIT |
IC FLASH 512G MMC
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Tecnologia Micron
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MT25QU02GCBB8E12-0SIT |
IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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N25Q032A13ESE40F |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8SOP2
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Tecnologia Micron
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MT25TL01GBBB8ESF-0AAT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 16SOP2
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Tecnologia Micron
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W25Q32BVSSJG |
MEMÓRIA FLASH IC 32 MB
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Winbond Electronics
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MT25QL128ABB8E12-0AUT |
IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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K9F5608U0D-PCB0 |
Memória flash NAND de 32 M x 8 bits
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Semicondutores da Samsung
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K4A8G085WB-BCPB |
Memória RAM SDR4 DDR4 de 8 GB
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Semicondutores da Samsung
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K4A8G165WC-BCTD |
8Gb B-die DDR4 SDRAM x16
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Semicondutores da Samsung
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C4B4G0846Q-HYK0 |
Especificação da DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM
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Semicondutores da Samsung
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K4T1G164QE-HCE7 |
1Gb E-die DDR2 SDRAM 60FBGA/84FBGA sem chumbo e sem halogênio (compatível com RoHS)
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Semicondutores da Samsung
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K9GAG08U0E-SCB0 |
16Gb E-die NAND Flash
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Semicondutores da Samsung
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C4G20325FD-FC03 |
Memória gráfica
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Semicondutores da Samsung
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K4G41325FE-HC28 |
Memória gráfica
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Semicondutores da Samsung
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K4E6E304EE-EGCF |
Memória IC
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Semicondutores da Samsung
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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MT25QL128ABA1ESE-MSIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOP2
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Tecnologia Micron
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K4B1G1646G-BCH9 |
1Gb D-die DDR3 SDRAM Especificação
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Semicondutores da Samsung
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C4G80325FB-HC25 |
Memória gráfica
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Semicondutores da Samsung
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M29DW128G70NF6E |
NOR Flash Paralelo 128Mbit 16 56/56
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STMicroelectrónica
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AT25SF041-SSHD-T |
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
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Tecnologias de Adesto
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MX25L12835FMI-10G |
IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOP
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MXIC, Macronix
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MX25R2035FZUIL0 |
IC FLASH 2M SPI 33MHZ 8USON
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MXIC, Macronix
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MX30LF2G18AC-TI |
IC FLASH 2G PARALEL 48TSOP
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MXIC, Macronix
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M24C64-RMN6TP |
IC EEPROM 64K I2C 1MHZ 8SO
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STMicroelectrónica
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MX30LF1G18AC-TI |
IC FLASH 1G PARALEL 48TSOP
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MXIC, Macronix
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