K4B1G1646G-BCK0
fabricante:
Semicondutores da Samsung
Descrição:
1Gb C-die DDR3 SDRAM Especificação
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria de produtos:
Circuitos integrados de semicondutores - IC
Fabricante:
semicondutor de Samsung
Introdução
O K4B1G1646G-BCK0, da Samsung Semiconductor, são semicondutores-circuitos integrados - ICs.o que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que estão em peças originais e novas.Se desejar saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
K4S561632H-UC75
SDRAM Product Guide
K4S511632D-UC75
DDP 512Mbit SDRAM 8M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
K4T1G164QE-HCF8
1Gb E-die DDR2 SDRAM
C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1
128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory
C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1
32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K4S561632N-LC75
C1C1C1C1C1C1C1C1C1
128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory
A partir de 1 de janeiro de 2014:
K9WAG08U1A-PIB0
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F2G08U0C-SIB0
2Gb C-die NAND Flash
| Imagem | parte # | Descrição | |
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K4S561632H-UC75 |
SDRAM Product Guide
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K4S511632D-UC75 |
DDP 512Mbit SDRAM 8M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
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K4T1G164QE-HCF8 |
1Gb E-die DDR2 SDRAM
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C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1 |
128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory
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C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory
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K4S561632N-LC75 |
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C1C1C1C1C1C1C1C1C1 |
128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory
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A partir de 1 de janeiro de 2014: |
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K9WAG08U1A-PIB0 |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
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K9F2G08U0C-SIB0 |
2Gb C-die NAND Flash
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