K4S561632E-UC75
fabricante:
Semicondutores da Samsung
Descrição:
256 Mb E-die SDRAM Especificação 54 TSOP-II com Pb-Free (compatível com RoHS)
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Pacote:
TSOP-54
Categoria de produtos:
Circuitos integrados de semicondutores - IC
Fabricante:
semicondutor de Samsung
Introdução
O K4S561632E-UC75, da Samsung Semiconductor, é um circuito integrado de semicondutores. O que oferecemos tem um preço competitivo no mercado global, que são peças originais e novas.Se desejar saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
K4S561632H-UC75
SDRAM Product Guide
K4S511632D-UC75
DDP 512Mbit SDRAM 8M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
K4T1G164QE-HCF8
1Gb E-die DDR2 SDRAM
C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1
128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory
C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1
32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K4S561632N-LC75
C1C1C1C1C1C1C1C1C1
128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory
A partir de 1 de janeiro de 2014:
K9WAG08U1A-PIB0
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F2G08U0C-SIB0
2Gb C-die NAND Flash
| Imagem | parte # | Descrição | |
|---|---|---|---|
|
|
K4S561632H-UC75 |
SDRAM Product Guide
|
|
|
|
K4S511632D-UC75 |
DDP 512Mbit SDRAM 8M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
|
|
|
|
K4T1G164QE-HCF8 |
1Gb E-die DDR2 SDRAM
|
|
|
|
C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1 |
128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
K4S561632N-LC75 |
|
|
|
|
C1C1C1C1C1C1C1C1C1 |
128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
A partir de 1 de janeiro de 2014: |
|
|
|
|
K9WAG08U1A-PIB0 |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
K9F2G08U0C-SIB0 |
2Gb C-die NAND Flash
|
Envie o RFQ
Conservado em estoque:
MOQ: