IXBK55N300
fabricante:
IXYS
Descrição:
Transistores IGBT
Categoria:
Semicondutores
Especificações
corrente do escapamento do Porta-emissor:
+/- 200 nA
Categoria de produtos:
Transistores IGBT
Estilo de montagem:
Através do Buraco
Corrente de coletor contínua em 25 C:
130 A
Pd - Dissipação de energia:
625 W
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
3 QUILOVOLTS
Embalagem / Caixa:
TO-264-3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 150 C
Tensão máxima do emissor da porta:
+/- 25 V
embalagem:
Tubos
Configuração:
Solteiro
Tensão de saturação do Coletor-emissor:
2,7 V
Fabricante:
IXYS
Introdução
O IXBK55N300, da IXYS, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que estão em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
Envie o RFQ
Conservado em estoque:
MOQ: