IXGK120N120A3
fabricante:
IXYS
Descrição:
Transistores IGBT 120 Amp 1200V
Categoria:
Semicondutores
Especificações
corrente do escapamento do Porta-emissor:
nA 400
Categoria de produtos:
Transistores IGBT
Estilo de montagem:
Através do Buraco
Corrente de coletor contínua em 25 C:
240 A
Pd - Dissipação de energia:
830 W
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
1,2 quilovolts
Embalagem / Caixa:
TO-264-3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 150 C
Tensão máxima do emissor da porta:
+/- 20 V
embalagem:
Tubos
Configuração:
Solteiro
Tensão de saturação do Coletor-emissor:
1,85 V
Fabricante:
IXYS
Introdução
O IXGK120N120A3, da IXYS, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que estão em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
Envie o RFQ
Conservado em estoque:
MOQ: