IXGH48N60A3D1
fabricante:
IXYS
Descrição:
Transistores IGBT G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 48A
Categoria:
Semicondutores
Especificações
corrente do escapamento do Porta-emissor:
nA 100
Categoria de produtos:
Transistores IGBT
Estilo de montagem:
Através do Buraco
Pd - Dissipação de energia:
300 W
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
600 V
Embalagem / Caixa:
TO-247AD-3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 150 C
embalagem:
Tubos
Tensão máxima do emissor da porta:
+/- 20 V
Tensão de saturação do Coletor-emissor:
1.18 V
Fabricante:
IXYS
Introdução
O IXGH48N60A3D1, da IXYS, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se desejar saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor contacte-nos através do chat online ou envie-nos um orçamento!
Related Products
Envie o RFQ
Conservado em estoque:
MOQ: