IXGH72N60A3
Especificações
corrente do escapamento do Porta-emissor:
nA 100
Categoria de produtos:
Transistores IGBT
Estilo de montagem:
Através do Buraco
Corrente de coletor contínua em 25 C:
75 A
Pd - Dissipação de energia:
540 W
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
600 V
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 150 C
Tensão máxima do emissor da porta:
+/- 20 V
embalagem:
Tubos
Configuração:
Solteiro
Tensão de saturação do Coletor-emissor:
1,35 V
Fabricante:
IXYS
Introdução
O IXGH72N60A3, da IXYS, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
Related Products
Envie o RFQ
Conservado em estoque:
MOQ: