QPD1000
fabricante:
Qorvo
Descrição:
Transistores RF JFET 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Polaridade do transistor:
N-canal
Tecnologia:
GaN SiC
Categoria de produtos:
Transistores RF JFET
Estilo de montagem:
SMD/SMT
Ganho:
DB 19
Tipo de transistor:
HEMT
Potência de saída:
24 W
Embalagem / Caixa:
QFN-8
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 85 C
Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte:
28 V
embalagem:
Caixa
Identificação - corrente contínua do dreno:
817 mA
Vgs - Tensão de ruptura da porta-fonte:
100 V
Pd - Dissipação de energia:
28.8 W
Fabricante:
Qorvo
Introdução
O QPD1000, da Qorvo, são os transistores RF JFET. O que oferecemos tem um preço competitivo no mercado global, que estão em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
T2G6000528-Q3
RF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
TGF2978-SM
RF JFET Transistors 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
T2G6001528-SG
RF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
QPD3601
RF JFET Transistors 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
QPD1015L
RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
TGF3015-SM
RF JFET Transistors .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
TGF2953
RF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
| Imagem | parte # | Descrição | |
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T2G6000528-Q3 |
RF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
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TGF2978-SM |
RF JFET Transistors 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
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T2G6001528-SG |
RF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
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QPD3601 |
RF JFET Transistors 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
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QPD1015L |
RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
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TGF3015-SM |
RF JFET Transistors .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
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TGF2953 |
RF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
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