QPD3601
fabricante:
Qorvo
Descrição:
Transistores RF JFET 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Polaridade do transistor:
N-canal
Tecnologia:
GaN SiC
Categoria de produtos:
Transistores RF JFET
Estilo de montagem:
SMD/SMT
Ganho:
DB 22
Tipo de transistor:
HEMT
Potência de saída:
180 W
Embalagem / Caixa:
NI400-2
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 85 C
Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte:
50 V
embalagem:
waffle
Tensão máxima da porta de escoamento:
55 V
Identificação - corrente contínua do dreno:
360 mA
Pd - Dissipação de energia:
60.9 W
Fabricante:
Qorvo
Introdução
O QPD3601, da Qorvo, são transistores RF JFET. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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