TK4P60DB
Especificações
Polaridade do transistor:
N-canal
Tecnologia:
Si
Categoria de produtos:
MOSFET
Estilo de montagem:
SMD/SMT
Embalagem / Caixa:
TO-252-3
Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte:
600 V
embalagem:
Reel
Identificação - corrente contínua do dreno:
3,7 A
Número de canais:
1 Canal
RDS - na resistência da Dreno-fonte:
2 Ohms
Fabricante:
Toshiba
Introdução
O TK4P60DB, da Toshiba, é MOSFET. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que estão em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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