TPH1400ANH,L1Q
fabricante:
Toshiba
Descrição:
MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Polaridade do transistor:
N-canal
Tecnologia:
Si
Identificação - corrente contínua do dreno:
42 A
Estilo de montagem:
SMD/SMT
Embalagem / Caixa:
SOP-Advance-8
Modo do canal:
Realce
Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte:
100 V
embalagem:
Reel
Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte:
2 V a 4 V
Categoria de produtos:
MOSFET
RDS - na resistência da Dreno-fonte:
11.3 mOhms
Número de canais:
1 Canal
Vgs - tensão da Porta-fonte:
20 V
Qg - carga da porta:
22 nC
Fabricante:
Toshiba
Introdução
O TPH1400ANH,L1Q,da Toshiba,é MOSFET.O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global,que estão em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
TK20A60U
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
SSM3J328R
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
TK4P60DB
MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm
2SA1244-Y
Silicon PNP Power Transistors
TK12A60D
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS
TPH4R50ANH
MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
TK10A60D
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
2SK3878
Switching Regulator Applications
| Imagem | parte # | Descrição | |
|---|---|---|---|
|
|
TK20A60U |
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
|
|
|
|
SSM3J328R |
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
|
|
|
|
TK4P60DB |
MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm
|
|
|
|
2SA1244-Y |
Silicon PNP Power Transistors
|
|
|
|
TK12A60D |
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS
|
|
|
|
TPH4R50ANH |
MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
|
|
|
|
TK10A60D |
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
|
|
|
|
2SK3878 |
Switching Regulator Applications
|
Envie o RFQ
Conservado em estoque:
MOQ: