IPD25N06S4L-30
fabricante:
Tecnologias Infineon
Descrição:
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria de produtos:
MOSFET
Identificação - corrente contínua do dreno:
25 A
Pd - Dissipação de energia:
29 W
Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte:
60 V
embalagem:
Tape & Reel (TR)
Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte:
1.2 V
Pacote:
TO-252
RDS - na resistência da Dreno-fonte:
23 mOhms
ROHS:
Verde disponível
Quantidade em embalagem de fábrica:
2500
Vgs - tensão da Porta-fonte:
- 16 V, + 16 V
Qg - carga da porta:
16.3 nC
Fabricante:
Tecnologias Infineon
Introdução
O IPD25N06S4L-30, da Infineon Technologies, é um MOSFET. O que oferecemos tem um preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
IPA60R380E6
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BSC039N06NS
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IPD75N04S4-06
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
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IPW65R150CFD
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
IPP60R099C6
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
IPW65R110CFD
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
IPL65R230C7
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
BSC0906NS
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
BSZ097N10NS5
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
| Imagem | parte # | Descrição | |
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IPA60R380E6 |
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
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BSC039N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
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IPD75N04S4-06 |
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
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BSC011N03LSI |
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
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IPW65R150CFD |
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
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IPP60R099C6 |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
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IPW65R110CFD |
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
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IPL65R230C7 |
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
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BSC0906NS |
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
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BSZ097N10NS5 |
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
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