IPW65R110CFD
Especificações
Polaridade do transistor:
N-canal
Tecnologia:
Si
Identificação - corrente contínua do dreno:
31.2 A
Estilo de montagem:
Através do Buraco
Tradename:
CoolMOS
Temperatura mínima de funcionamento:
- 55 C
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 150 C
Modo do canal:
Realce
Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte:
650 V
embalagem:
Tubos
Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte:
3,5 V
Categoria de produtos:
MOSFET
RDS - na resistência da Dreno-fonte:
99 mOhms
Número de canais:
1 Canal
Vgs - tensão da Porta-fonte:
+/- 20 V
Qg - carga da porta:
118 dC
Fabricante:
Tecnologias Infineon
Introdução
O IPW65R110CFD, da Infineon Technologies, é um MOSFET. O que oferecemos tem um preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS

IPA60R380E6
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6

BSC039N06NS
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8

IPD75N04S4-06
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2

BSC011N03LSI
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS

IPW65R150CFD
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3

IPP60R099C6
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6

IPL65R230C7
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7

BSC0906NS
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

BSZ097N10NS5
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8

BSC010N04LSI
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
Imagem | parte # | Descrição | |
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IPA60R380E6 |
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
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BSC039N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
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IPD75N04S4-06 |
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
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BSC011N03LSI |
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
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IPW65R150CFD |
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
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IPP60R099C6 |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
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IPL65R230C7 |
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
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BSC0906NS |
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
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BSZ097N10NS5 |
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
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BSC010N04LSI |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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