IXFH50N85X
fabricante:
IXYS
Descrição:
MOSFET N-CH 850V 50A TO247
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
FET, MOSFET
FETs únicos, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.5V @ 4mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
152 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
105 mOhm @ 500 mA, 10 V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
850 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4480 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HiPerFET™, Ultra X
Supplier Device Package:
TO-247 (IXTH)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
50A (Tc)
Power Dissipation (Max):
890W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFH50
Introdução
N-canal 850 V 50A (Tc) 890W (Tc) através do buraco TO-247 (IXTH)
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