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SI1416EDH-T1-GE3

fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
12 nC @ 10 V
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Series:
TrenchFET®
Vgs (Max):
±12V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.4V @ 250µA
Supplier Device Package:
SC-70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
58mOhm @ 3.1A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
2.5V, 10V
Power Dissipation (Max):
2.8W (Tc)
Embalagem / Caixa:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
3.9A (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Número do produto de base:
SI1416
Introdução
N-Canal 30 V 3.9A (Tc) 2.8W (Tc) Montador de superfície SC-70-6
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