SI7157DP-T1-GE3
fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Característica do FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.4V @ 250µA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® SO-8
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
625 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.6mOhm @ 25A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
2.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±12V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
22000 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
60A (Tc)
Power Dissipation (Max):
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI7157
Introdução
P-Channel 20 V 60A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) PowerPAK® SO-8
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SQSA12CENW-T1_GE3 |
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