O número de veículos deve ser igual ou superior a:
fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
5 nC @ 10 V
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Series:
TrenchFET®
Vgs (Max):
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
250mOhm @ 1.5A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Dissipação de poder (máxima):
730 mW (Ta)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1.15A (Ta)
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Base Product Number:
SI2328
Introdução
N-Canal 100 V 1.15A (Ta) 730mW (Ta) Montador de superfície SOT-23-3 (TO-236)
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Imagem | parte # | Descrição | |
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2N7002E-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
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SIR872ADP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
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SI7148DP-T1-E3 |
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MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
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MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
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SIJ478DP-T1-GE3 |
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SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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