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SQM120P06-07L_GE3

fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
Característica do FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
270 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
6.7mOhm @ 30A, 10V
Tipo de FET:
P-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
14280 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
TO-263 (D²Pak)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
120A (Tc)
Power Dissipation (Max):
375W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SQM120
Introdução
P-Canal 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) Montador de superfície TO-263 (D2Pak)
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