SIR690DP-T1-GE3
fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
37 nC @ 7.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
35mOhm @ 20A, 10V
FET Type:
N-Channel
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
7.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
200 V
Vgs (Max):
±20V
Estatuto do produto:
Atividade
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1935 pF @ 100 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Series:
ThunderFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
34.4A (Tc)
Power Dissipation (Max):
104W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SIR690
Introdução
N-Channel 200 V 34.4A (Tc) 104W (Tc) PowerPAK® SO-8
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Imagem | parte # | Descrição | |
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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