SQSA12CENW-T1_GE3
fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
O sistema de transmissão deve ser equipado com um sistema de transmissão de energia elétrica.
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
47 nC @ 10 V
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2900 pF @ 25 V
Series:
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Vgs (Max):
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Supplier Device Package:
PowerPAK® 1212-8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
22mOhm @ 7A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max):
62.5W (Tc)
Package / Case:
PowerPAK® 1212-8W
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
18A (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
FET Feature:
-
Introdução
N-Channel 100 V 18A (Tc) 62,5 W (Tc) PowerPAK® 1212-8W
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Imagem | parte # | Descrição | |
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado. |
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