SQS401EN-T1_BE3
fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
21.2 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
29mOhm @ 12A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1875 pF @ 20 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® 1212-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
16A (Tc)
Power Dissipation (Max):
62.5W (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Base Product Number:
SQS401
Introdução
P-Channel 40 V 16A (Tc) 62,5 W (Tc) PowerPAK® 1212-8
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Imagem | parte # | Descrição | |
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2N7002E-T1-E3 |
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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