IXTP1N100P
fabricante:
IXYS
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 1A TO220AB
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 50µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
15.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
15Ohm @ 500mA, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
1000 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
331 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Série:
Cobre
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1A (Tc)
Dissipação de poder (máxima):
50W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Número do produto de base:
IXTP1
Introdução
N-canal 1000 V 1A (Tc) 50W (Tc) através do buraco TO-220-3
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