SQ2389ES-T1_GE3
fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
12 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
94mOhm @ 10A, 10V
FET Type:
P-Channel
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
40 V
Vgs (máximo):
± 20V
Product Status:
Active
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
420 pF @ 20 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
4.1A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SQ2389
Introdução
P-Canal 40 V 4.1A (Tc) 3W (Tc) Montador de superfície SOT-23-3 (TO-236)
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Imagem | parte # | Descrição | |
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2N7002E-T1-E3 |
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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