SIS402DN-T1-GE3
fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.2V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Embalagem / Caixa:
PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
42 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
6mOhm @ 19A, 10V
FET Type:
N-Channel
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1700 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® 1212-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
35A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SIS402
Introdução
N-Canal 30 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) PowerPAK® 1212-8
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Imagem | parte # | Descrição | |
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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