SI4401BDY-T1-GE3
fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
55 nC @ 5 V
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Series:
TrenchFET®
Vgs (Max):
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Supplier Device Package:
8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
14mOhm @ 10.5A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
P-Channel
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max):
1.5W (Ta)
Embalagem / Caixa:
8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)
Drain to Source Voltage (Vdss):
40 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
8.7A (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI4401
Introdução
P-Channel 40 V 8.7A (Ta) 1.5W (Ta) Montador de superfície 8-SOIC
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Imagem | parte # | Descrição | |
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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