IRF9510PBF
fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
8.7 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Tipo de FET:
P-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Pacote:
Tubos
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (máximo):
± 20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
200 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-220AB
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
4A (Tc)
Power Dissipation (Max):
43W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRF9510
Introdução
P-canal 100 V 4A (Tc) 43W (Tc) através do buraco TO-220AB
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Imagem | parte # | Descrição | |
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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