IRFP9240PBF
fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
FET, MOSFET
FETs únicos, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
44 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
500mOhm @ 7.2A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
200 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1200 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-247AC
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
12A (Tc)
Power Dissipation (Max):
150W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRFP9240
Introdução
Canal P 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) através do buraco TO-247AC
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado.
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| Imagem | parte # | Descrição | |
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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