IXFH320N10T2
fabricante:
IXYS
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 320A TO247AD
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
430 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3.5mOhm @ 100A, 10V
FET Type:
N-Channel
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
10 V
Package:
Tube
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Estatuto do produto:
Atividade
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
26000 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HiPerFET™, TrenchT2™
Supplier Device Package:
TO-247AD (IXFH)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
320A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1000W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFH320
Introdução
N-canal 100 V 320A (Tc) 1000W (Tc) através do buraco TO-247AD (IXFH)
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