SI2342DS-T1-GE3
fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Característica do FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
800mV @ 250µA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
150,8 nC @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
17mOhm @ 7.2A, 4.5V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.2V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
8 V
Vgs (Max):
±5V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1070 pF @ 4 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
6A (Tc)
Power Dissipation (Max):
2.5W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI2342
Introdução
N-Canal 8 V 6A (Tc) 2,5 W (Tc) Montador de superfície SOT-23-3 (TO-236)
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Imagem | parte # | Descrição | |
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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