IXFP4N85X
fabricante:
IXYS
Descrição:
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
FET, MOSFET
FETs únicos, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Embalagem / Caixa:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
7 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.5 Ohm @ 2A, 10 V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
850 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
247 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HiPerFET™, Ultra X
Supplier Device Package:
TO-220AB (IXFP)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3.5A (Tc)
Power Dissipation (Max):
150W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFP4N85
Introdução
N-canal 850 V 3.5A (Tc) 150W (Tc) através do buraco TO-220AB (IXFP)
Related Products
IXFK120N20
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
IXFK27N80
MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA
IXFH20N80Q
MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
IXFH15N80
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
IXFH26N50Q
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
IXFH12N90
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
IXFH13N50
MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
IXFN32N120P
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
IXFN32N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
IXFN36N100
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
| Imagem | parte # | Descrição | |
|---|---|---|---|
|
|
IXFK120N20 |
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
|
|
|
|
IXFK27N80 |
MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA
|
|
|
|
IXFH20N80Q |
MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
|
|
|
|
IXFH15N80 |
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
|
|
|
|
IXFH26N50Q |
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
|
|
|
|
IXFH12N90 |
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
|
|
|
|
IXFH13N50 |
MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
|
|
|
|
IXFN32N120P |
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
|
|
|
|
IXFN32N100Q3 |
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
|
|
|
|
IXFN36N100 |
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
|
Envie o RFQ
Conservado em estoque:
MOQ: