IXFP12N50P
fabricante:
IXYS
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Característica do FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
29 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
500mOhm @ 6A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
500 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1830 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HiPerFET™, Polar
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
12A (Tc)
Power Dissipation (Max):
200W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFP12
Introdução
N-canal 500 V 12A (Tc) 200W (Tc) através do buraco TO-220-3
PRODUTOS CONEXOS
IXFK120N20
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
IXFK27N80
MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA
IXFH20N80Q
MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
IXFH15N80
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
IXFH26N50Q
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
IXFH12N90
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
IXFH13N50
MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
IXFN32N120P
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
IXFN32N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
IXFN36N100
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
| Imagem | parte # | Descrição | |
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IXFK120N20 |
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
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IXFK27N80 |
MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA
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IXFH20N80Q |
MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
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IXFH15N80 |
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
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IXFH26N50Q |
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
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IXFH12N90 |
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
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IXFH13N50 |
MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
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IXFN32N120P |
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
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IXFN32N100Q3 |
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
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IXFN36N100 |
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
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