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Circuitos integrados - CI
| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Conservado em estoque | RFQ | |
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S29GL032N90TFI030 |
Memória flash 3V 32 Mb Porta flutuante dois endereço 90s
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Semicondutor de cipreste
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S29GL064N90TFI010 |
Paralela da memória Flash 64Mb 3V 90ns NEM instantâneo
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Semicondutor de cipreste
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IS42S16320B-6TL |
DRAM 512M (32Mx16) 166MHz SDR SDRAM, 3.3V
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ISSI
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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MT25QL128ABA1ESE-MSIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOP2
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Tecnologia Micron
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IS43TR16128AL-125KBL |
DRAM 2G 1,35V (128M x 16) DDR3 SDRAM
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ISSI
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K4B1G1646G-BCH9 |
1Gb D-die DDR3 SDRAM Especificação
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Semicondutores da Samsung
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C4G80325FB-HC25 |
Memória gráfica
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Semicondutores da Samsung
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M29DW128G70NF6E |
NOR Flash Paralelo 128Mbit 16 56/56
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STMicroelectrónica
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IS41LV16100C-50KLI-TR |
DRAM 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM Async
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ISSI
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IS43TR16256AL-15HBLI |
DRAM 4G, 1,35V, 1333Mhz DDR3L SDAM
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ISSI
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S29CD016J0PQAM113 |
Memória Flash nem
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Semicondutor de cipreste
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IS43TR16640A-125JBLI |
DRAM 1G, 1.5V, (64M x 16) 1600Mhz DDR3 SDRAM
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ISSI
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IS41C16100C-50KLI |
DRAM 16M, 5V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM Async
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ISSI
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IS43TR16128B-15HBLI |
DRAM 2G, 1,5 V, 1333MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
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ISSI
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IS43TR16128B-125KBLI |
DRAM 2G, 1,5 V, 1600MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
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ISSI
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IS43TR16256A-125KBLI |
DRAM 4G, 1,5 V, 1600 MHz DDR3 SDRAM
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ISSI
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IS43TR16256AL-125KBL |
DRAM 4G, 1,35V, 1600Mhz DDR3L SDAM
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ISSI
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S29GL128N90FFAR22 |
Memória Flash nem
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Semicondutor de cipreste
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O que é isso? |
Memória flash 8 GB NAND EEPROM
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Toshiba
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S29GL032N90FFIS30 |
Paralela da memória Flash 32Mb 3V 90ns NEM instantâneo
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Semicondutor de cipreste
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TC58BVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3,3 V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
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Toshiba
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THGBMHG7C1LBAIL |
Memória Flash 16GB NAND EEPROM com CQ
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Toshiba
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S70FL256P0XMFI001 |
Memória Flash 256M, 3.0V, 104Mhz SPI NEM flash
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Semicondutor de cipreste
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S25FL116K0XMFI041 |
Memória Flash 16M, 3V, 108Mhz de série NEM instantâneo
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Semicondutor de cipreste
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IS25LQ020B-JNLE-TR |
Memória flash 2 Mb QSPI, SOP de 8 pines 150 Mil, RoHS, ET, T&R
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ISSI
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IS25LQ032B-JBLE |
Memória Flash 32M SPI, CONCESSÃO 208mil E 2.3-3.6V de 8 pinos
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ISSI
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TC58NVG1S3HBAI4 |
EEPROM 3,3 V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
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Toshiba
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TC58NVG2S0HBAI4 |
EEPROM 3,3 V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
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Toshiba
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TC58BVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3,3 V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
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Toshiba
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S29JL032J70TFI220 |
Paralela da memória Flash 32MB 3.0V 70ns NEM instantâneo instantâneo
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Semicondutor de cipreste
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S34MS04G100BHI000 |
Memória Flash 4G, 1,8 V, 45ns NAND Flash
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Expanso / Cipreste
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S34ML01G200BHV000 |
Memória Flash Nand
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Semicondutor de cipreste
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S34MS01G100BHI000 |
Memória flash 1G, 1.8V, 45ns NAND Flash
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Expanso / Cipreste
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S29GL032N90TFI023 |
Paralela da memória Flash 32MB 2.7-3.6V 90ns NEM instantâneo
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Semicondutor de cipreste
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IS25WP016D-JULE-TR |
NOR Flash 16Mb QSPI, USON 2X3MM de 8 pinos, RoHS, T&R
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ISSI
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TC58NVG1S3HTA00 |
EEPROM 3,3 V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
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Toshiba
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TC58BVG1S3HTA00 |
EEPROM 3,3 V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
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Toshiba
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TC58NVG0S3HTA00 |
EEPROM 3,3 V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
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Toshiba
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TC58BVG2S0HTAI0 |
EEPROM 3,3 V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
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Toshiba
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IS43TR16256A-125KBLI-TR |
DRAM 4G, 1,5 V, 1600 MHz DDR3
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ISSI
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IS43TR16256A-107MBLI |
DRAM 4G, 1,5 V, 1866MHz 256Mx16 DDR3 SDRAM
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ISSI
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IS43TR16128CL-125KBL |
DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1,35V
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ISSI
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IS43TR16128B-15HBL |
DRAM 2G, 1,5 V, 1333MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
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ISSI
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IS43TR16512AL-125KBL |
DRAM DDR3L,8G,1.5V, RoHs 1600MT/s,512Mx16
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ISSI
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IS43DR16128B-25EBLI |
DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 400Mhz @ CL6, 84 bola BGA (10.5mmx13.5mm) RoHS, IT
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ISSI
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IS43TR16256AL-125KBLI |
DRAM 4G, 1,35V, 1600Mhz DDR3L SDAM
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ISSI
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IS46TR16128B-15HBLA1 |
DRAM Automotive (Tc: -40 a +95C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 bola BGA (9mm x13mm)
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ISSI
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IS41LV16100C-50TLI |
DRAM 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM Async
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ISSI
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IS43TR16128BL-125KBL |
DRAM 2G, 1,35V, 1600MT/s 128Mx16 DDR3L SDRAM
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ISSI
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