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IPW60R037CSFD

fabricante:
Tecnologias Infineon
Descrição:
Capacidade máxima
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Polaridade do transistor:
N-canal
Categoria de produtos:
MOSFET
Tempo de atraso de ligação típico:
53 ns
Subcategoria:
MOSFETs
Dissipação de potência Pd:
245 W
Voltagem da fonte da porta Vgs:
-20 V, + 20 V
Temperatura mínima de funcionamento:
-55 C
Pacote:
Tubos
Tempo de queda:
6 ns
Fabricante:
Tecnologias Infineon
Quantidade de embalagem de fábrica:
240
Tempo de atraso típico da volta-Fora:
196 ns
Configuração:
Solteiro
Tipo de produto:
MOSFET
Temperatura de trabalho máxima:
+ 150 C
Tempo de elevação:
30 ns
Número de canais:
1 Canal
Marca comercial:
Tecnologias Infineon
Carga Qg-gate:
136 dC
Id. Corrente de escoamento contínua:
54 A
Tipo de transistor:
1 Canal N
Estilo da instalação:
Através do Buraco
Pacote/caixa:
TO-247-3
Modo do canal:
Realce
Tecnologia:
Si
Voltagem de ruptura da fonte Vds-Drain:
650 V
Rds de fonte de descarga sobre a resistência:
37 mOhms
Vgs th- voltagem limite da fonte da porta:
3,5 V
Introdução
O IPW60R037CSFD,da Infineon Technologies,é MOSFET.O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global,que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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