IPB031N08N5ATMA1
fabricante:
Tecnologias Infineon
Descrição:
MOSFET N-CH 80V TO263-3
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria de produtos:
MOSFET
Vgs (máximo):
± 20V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
120A (Tc)
@ qty:
0
Tipo de FET:
N-canal
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
87nC @ 10V
Fabricante:
Tecnologias Infineon
Quantidade mínima:
1000
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
6V, 10V
Fábrica:
0
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Característica do FET:
-
Série:
OptiMOS™
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
6240pF @ 40V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
² PAK DE D (TO-263AB)
Estatuto da parte:
Atividade
embalagem:
Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3.1 mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de poder (máxima):
167W (Tc)
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.8V @ 108μA
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
80 V
Introdução
O IPB031N08N5ATMA1, da Infineon Technologies, é um MOSFET. O que oferecemos tem um preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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