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IRFR15N20DTRPBF

fabricante:
Tecnologias Infineon
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria de produtos:
MOSFET
Vgs (máximo):
±30V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
17A (Tc)
@ qty:
0
Tipo de FET:
N-canal
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
41nC @ 10V
Fabricante:
Tecnologias Infineon
Quantidade mínima:
2000
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
10 V
Fábrica:
0
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Característica do FET:
-
Série:
HEXFET®
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
910pF @ 25V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
D-PAK (TO-252AA)
Estatuto da parte:
Atividade
embalagem:
Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
165 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de poder (máxima):
3 W (Ta), 140 W (Tc)
Embalagem / Caixa:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.5V @ 250µA
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
200 V
Introdução
O IRFR15N20DTRPBF, da Infineon Technologies, é um MOSFET. O que oferecemos tem um preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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