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IPB014N06N

fabricante:
Tecnologias Infineon
Descrição:
MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Polaridade do transistor:
N-canal
Tecnologia:
Si
Identificação - corrente contínua do dreno:
180A
Estilo de montagem:
SMD/SMT
Temperatura mínima de funcionamento:
- 55 C
Embalagem / Caixa:
TO-263-7
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 175 C
Modo do canal:
Realce
Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte:
60 V
embalagem:
Reel
Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte:
2,1 V
Categoria de produtos:
MOSFET
RDS - na resistência da Dreno-fonte:
1,2 mOhms
Número de canais:
1 Canal
Vgs - tensão da Porta-fonte:
20 V
Qg - carga da porta:
124 d.C.
Fabricante:
Tecnologias Infineon
Introdução
O IPB014N06N, da Infineon Technologies, é um MOSFET. O que oferecemos tem um preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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