IXFH170N10P
fabricante:
IXYS
Descrição:
MOSFET 170 Amp 100V 0,009 Rds
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Polaridade do transistor:
N-canal
Tecnologia:
Si
Identificação - corrente contínua do dreno:
170 A
Estilo de montagem:
Através do Buraco
Tradename:
PolarHT, HiPerFET
Temperatura mínima de funcionamento:
- 55 C
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 175 C
Modo do canal:
Realce
Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte:
100 V
embalagem:
Tubos
Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte:
5 V
Categoria de produtos:
MOSFET
RDS - na resistência da Dreno-fonte:
9 mOhms
Número de canais:
1 Canal
Vgs - tensão da Porta-fonte:
20 V
Qg - carga da porta:
198 d.C.
Fabricante:
IXYS
Introdução
O IXFH170N10P,da IXYS,é MOSFET.O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global,que estão em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
IXFR64N60Q3
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
IXTT20N50D
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
IXFK200N10P
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
IXTQ50N25T
MOSFET 50Amps 250V
IXFP34N65X2
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
IXFH36N60P
MOSFET 600V 36A
IXFK100N65X2
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
IXTT110N10L2
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
IXFK44N80P
MOSFET 44 Amps 800V
IXFN520N075T2
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
| Imagem | parte # | Descrição | |
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IXFR64N60Q3 |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
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IXTT20N50D |
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
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IXFK200N10P |
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
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IXTQ50N25T |
MOSFET 50Amps 250V
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IXFP34N65X2 |
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
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IXFH36N60P |
MOSFET 600V 36A
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IXFK100N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
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IXTT110N10L2 |
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
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IXFK44N80P |
MOSFET 44 Amps 800V
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IXFN520N075T2 |
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
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