IXTT110N10L2
Especificações
Polaridade do transistor:
N-canal
Tecnologia:
Si
Identificação - corrente contínua do dreno:
110 A
Estilo de montagem:
SMD/SMT
Temperatura mínima de funcionamento:
- 55 C
Embalagem / Caixa:
TO-268-3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 150 C
Modo do canal:
Realce
Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte:
100 V
embalagem:
Tubos
Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte:
2,5 V
Categoria de produtos:
MOSFET
RDS - na resistência da Dreno-fonte:
18 mOhms
Número de canais:
1 Canal
Qg - carga da porta:
260 nC
Fabricante:
IXYS
Introdução
O IXTT110N10L2, da IXYS, é um MOSFET. O que oferecemos tem um preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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