IXTQ50N25T
fabricante:
IXYS
Descrição:
MOSFET 50 Amp 250 V
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Polaridade do transistor:
N-canal
Tecnologia:
Si
Identificação - corrente contínua do dreno:
50 A
Estilo de montagem:
Através do Buraco
Temperatura mínima de funcionamento:
- 55 C
Embalagem / Caixa:
TO-3P-3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 150 C
Modo do canal:
Realce
Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte:
250 V
embalagem:
Tubos
Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte:
5 V
Categoria de produtos:
MOSFET
RDS - na resistência da Dreno-fonte:
60 mOhms
Número de canais:
1 Canal
Vgs - tensão da Porta-fonte:
30 V
Qg - carga da porta:
78 dC
Fabricante:
IXYS
Introdução
O IXTQ50N25T,da IXYS,é MOSFET.O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global,que estão em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
IXFR64N60Q3
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
IXTT20N50D
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
IXFK200N10P
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
IXFP34N65X2
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
IXFH36N60P
MOSFET 600V 36A
IXFK100N65X2
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
IXTT110N10L2
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
IXFK44N80P
MOSFET 44 Amps 800V
IXFN520N075T2
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXFH23N80Q
MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
| Imagem | parte # | Descrição | |
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IXFR64N60Q3 |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
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IXTT20N50D |
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
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IXFK200N10P |
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
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IXFP34N65X2 |
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
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IXFH36N60P |
MOSFET 600V 36A
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IXFK100N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
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IXTT110N10L2 |
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
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IXFK44N80P |
MOSFET 44 Amps 800V
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IXFN520N075T2 |
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
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IXFH23N80Q |
MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
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