IPD50N04S4L-08
fabricante:
Tecnologias Infineon
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria de produtos:
MOSFET
Vgs (máximo):
+20V, -16V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
50A (Tc)
@ qty:
0
Tipo de FET:
N-canal
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
30nC @ 10V
Fabricante:
Tecnologias Infineon
Quantidade mínima:
2500
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Fábrica:
0
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Característica do FET:
-
Série:
Automotivo, AEC-Q101, OptiMOS™
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
2340pF @ 25V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO252-3-313
Estatuto da parte:
Atividade
embalagem:
Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
7.3 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de poder (máxima):
46 W (Tc)
Embalagem / Caixa:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.2V @ 17μA
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
40 V
Introdução
O IPD50N04S4L-08, da Infineon Technologies, é um MOSFET. O que oferecemos tem um preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
IPA60R380E6
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BSC039N06NS
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IPD75N04S4-06
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IPW65R110CFD
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BSZ097N10NS5
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
| Imagem | parte # | Descrição | |
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IPA60R380E6 |
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
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BSC039N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
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IPD75N04S4-06 |
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
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BSC011N03LSI |
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
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IPW65R150CFD |
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
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IPP60R099C6 |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
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IPW65R110CFD |
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
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IPL65R230C7 |
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
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BSC0906NS |
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
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BSZ097N10NS5 |
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
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