Filtros
Filtros
MOSFET
| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Conservado em estoque | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQD18N20V2TM |
MOSFET 200V N-Ch adv QFET Série V2
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SI4435DDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V
|
Vishay Semicondutores
|
|
|
|
|
|
NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
BSS123.215 |
MOSFET N-CH TRNCH 100V.15A
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
IXFN520N075T2 |
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
O número de veículos deve ser igual ou superior a: |
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
|
Vishay Semicondutores
|
|
|
|
|
|
SPW47N60C3 |
MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
SQM40031EL_GE3 |
O MOSFET P Ch -40V Vds AEC-Q101 qualificou
|
Vishay Semicondutores
|
|
|
|
|
|
SUM70060E-GE3 |
MOSFET 100V Vds 131A Id 0.0056Vgs Rds ((On))
|
Siliconix / Vishay
|
|
|
|
|
|
FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A a 220
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
IRFS4410ZTRLPBF |
MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
TK20A60U |
MOSFET N-CH 600V 20A a 220SIS
|
Toshiba
|
|
|
|
|
|
IPA60R400CE |
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
IPD25N06S4L-30 |
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
IXFH23N80Q |
MOSFET 23 Amp 800V 0,40 Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFN80N50Q2 |
MOSFET 80 Amp 500V 0,06 Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFX32N50 |
MOSFET 32 Amp 500V 0,16 Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFH13N80 |
MOSFET 800V 13A
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
DMP6023LFGQ-13 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
IXTQ96N15P |
MOSFET 96 Ampères 150V 0,024 Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
SQ1440EH-T1_GE3 |
MOSFET 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualificado
|
Vishay Semicondutores
|
|
|
|
|
|
IXFH170N10P |
MOSFET 170 Amp 100V 0,009 Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFK180N10 |
MOSFET 100V 180A
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
ATP106-TL-H |
Dispositivo de comutação de MOSFET
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
SPA17N80C3 |
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
SI2312CDS-T1-GE3 |
MOSFET 20V 6A MOSFET N-CH
|
Vishay Semicondutores
|
|
|
|
|
|
SI7938DP-T1-GE3 |
MOSFET 40V 60A 46W 5,8mohm @ 10V
|
Vishay Semicondutores
|
|
|
|
|
|
SI7252DP-T1-GE3 |
MOSFET 100V 17mOhm@10V 36,7A N-Ch MV T-FET
|
Vishay Semicondutores
|
|
|
|
|
|
IPT007N06N |
MOSFETOS MOSFETOS diferenciados
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
BSC028N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
FDT434P |
MOSFET SOT-223 P-CH -20V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
IRF7343TRPBF |
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 55V 4,7A
|
RI/Infineon
|
|
|
|
|
|
SSM3J328R |
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
|
Toshiba
|
|
|
|
|
|
SI1539CDL-T1-GE3 |
MOSFET 30 Volts 0,7 Ampères 0,34 Watts
|
Vishay Semicondutores
|
|
|
|
|
|
2N7002DW-7-F |
MOSFET 60V 200mW
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
IXFH46N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/46A Ultra Junção X2
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXTP60N10T |
MOSFET MOSFET Id60 BVdass100
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXTP60N20T |
MOSFET Potência de trincheira MOSFETs 200v, 60A
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IPW60R070P6 |
MOSFET PRÉMIO/PORFORMAÇÃO de alta potência
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
SI3932DV-T1-GE3 |
MOSFET 30V 3.7A MOSFET duplo N-CH
|
Vishay Semicondutores
|
|
|
|
|
|
FDA20N50F |
MOSFET 500V N-Channel
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BSC040N10NS5 |
MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
FQA46N15 |
MOSFET 150V QFET de canal N
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDP51N25 |
MOSFET 250V MOSFET de canal N
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQP27N25 |
MOSFET 250V QFET de canal N
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDMS86104 |
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
IRFB5615PBF |
MOSFET Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
FQPF6N90C |
MOSFET 900V N-Ch Q-FET avançado C-Série
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|