SI3458BDV-T1-GE3
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
FET, MOSFET
FETs únicos, MOSFETs
Característica do FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Embalagem / Caixa:
SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
11 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
100 mOhm @ 3,2 A, 10 V
Tipo de FET:
N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel®
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
60 V
Vgs (máximo):
± 20V
Estatuto do produto:
Atividade
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
350 pF @ 30 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Série:
TrenchFET®
Pacote de dispositivos do fornecedor:
6-TSOP
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
4.1A (Tc)
Dissipação de poder (máxima):
2W (Ta), 3,3W (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Número do produto de base:
SI3458
Introdução
N-Canal 60 V 4.1A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Montador de superfície 6-TSOP
PRODUTOS CONEXOS

2N7002E-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3

SIR872ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

SI7148DP-T1-E3
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8

SI7157DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

IRFP21N60LPBF
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3

SIR880ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

SIR873DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8

SIJ478DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252

A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
Imagem | parte # | Descrição | |
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2N7002E-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
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SIR872ADP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
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SI7148DP-T1-E3 |
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
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SI7157DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
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IRFP21N60LPBF |
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
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SIR880ADP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
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SIR873DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
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SIJ478DP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
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SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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