SI7461DP-T1-E3
fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
FET, MOSFET
FETs únicos, MOSFETs
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
190 nC @ 10 V
Característica do FET:
-
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel®
Série:
TrenchFET®
Vgs (máximo):
± 20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de FET:
P-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Dissipação de poder (máxima):
1,9 W (Ta)
Embalagem / Caixa:
PowerPAK® SO-8
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
60 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
8,6A (Ta)
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Número do produto de base:
SI7461
Introdução
Montagem PowerPAK® SO-8 da superfície 1.9W do P-canal 60 V 8.6A (Ta) (Ta)
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado.
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| Imagem | parte # | Descrição | |
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado. |
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