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A partir de 1 de janeiro de 2018, o número de veículos aéreos deve ser especificado.

fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs
Característica do FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Embalagem / Caixa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
19 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
75 mOhm @ 2,7 A, 10 V
Tipo de FET:
P-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
40 V
Vgs (máximo):
± 20V
Estatuto do produto:
Atividade
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
650 pF @ 20 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Série:
TrenchFET® Gen III
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
2.7A (Ta), 3.6A (Tc)
Dissipação de poder (máxima):
1W (Ta), 1.7W (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Número do produto de base:
SI2319
Introdução
P-Canal 40 V 2.7A (Ta), 3.6A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Montador de superfície SOT-23-3 (TO-236)
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