IRF820PBF
fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
FET, MOSFET
FETs únicos, MOSFETs
Característica do FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Embalagem / Caixa:
TO-220-3
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
24 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3Ohm @ 1.5A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
10 V
Pacote:
Tubos
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
500 V
Vgs (máximo):
± 20V
Estatuto do produto:
Atividade
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
360 pF @ 25 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Série:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220AB
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
2.5A (Tc)
Dissipação de poder (máxima):
50W (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Número do produto de base:
IRF820
Introdução
N-canal 500 V 2.5A (Tc) 50W (Tc) através do buraco TO-220AB
PRODUTOS CONEXOS
2N7002E-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
SIR872ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
SI7148DP-T1-E3
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
SI7157DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
IRFP21N60LPBF
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
SIR880ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SIR873DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
SIJ478DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Imagem | parte # | Descrição | |
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2N7002E-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
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SIR872ADP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
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SI7148DP-T1-E3 |
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
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SI7157DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
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IRFP21N60LPBF |
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
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SIR880ADP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
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SIR873DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
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SIJ478DP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
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SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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